Epiwafer-Messung

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    Aufgrund der zunehmenden Verwendung elektro-optischer Komponenten, die heute sowohl in der Telekommunikation als auch im Bereich der Displaytechnologien üblich sind.

     

    Messung

    Oberflächenrauheit
    Die Oberflächenstruktur ist für Kunden wie für Lieferanten ein überaus wichtiger Parameter bei der Angabe der Qualität epitaxischer Halbleiter. Angesichts des derzeitigen Trends zu noch kleineren Schaltkreisen auf Wafern werden die Rauheitstoleranzen zunehmend enger. Zur Messung der in nm gemessenen Epiwafer-Oberflächenbeschaffenheit muss ein System mit sehr niedrigem Grundrauschen und sehr hoher Auflösung verwendet werden.

     

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